薄膜铌酸锂（LNOI）芯片

薄膜铌酸锂（LNOI）调制器

薄膜铌酸锂（LNOI）是指通过Smart-cut工艺（包括离子注入、转移键合、剥离与抛光等）在硅等异质基底材料上制备得到的厚度在300~900nm的铌酸锂单晶层。在LNOI晶圆中制备的电光调制器具有小尺寸、高带宽、低Vπ、高集成度等明显优于传统铌酸锂块状体材的电光调制器。

我们采用晶圆级半导体制程工艺（光刻、薄膜沉积、薄膜刻蚀等）在4英寸硅基铌酸锂薄膜晶圆上制备了数百颗LNOI电光调制器芯片，并对芯片行波电极结构的微波传输性能进行了测试（S21和S11曲线，VNA截止频率14GHz）。

除了纳米厚度的薄膜铌酸锂晶圆制程工艺，我们也可为客户提供厚度在5~10μm的铌酸锂“厚膜”的集成光学器件产品。